產(chǎn)品型號

  1英寸高真空磁控濺射頭HVMSS-SPC-1-LD

主要特點

  1、采用高質(zhì)量的不銹鋼和陶瓷材料制作。

  2、采用電磁場的有元計算法來設(shè)計永磁體，以得到較高的磁場強度和均勻分布。

  3、磁體表面涂有保護層，以防止冷卻水的腐蝕，延長其使用壽命。

  4、標(biāo)準(zhǔn)的HN型接頭，可與DC和RF電源相匹配。

  5、安裝采用標(biāo)準(zhǔn)真空接頭，便于操作。

  6、靶材更換較為簡單，無需調(diào)整濺射頭的高度。

  7、配有銅靶1塊。

技術(shù)參數(shù)

  1、濺射頭直徑：Φ46.3mm

  2、所用靶材：直徑1"±0.02"（25.4mm），zui大厚度1/8"（3mm）        

  3、磁環(huán)：NdFeB稀土永磁體

  4、柄桿直徑：外徑3/4"

  5、電路接頭：標(biāo)準(zhǔn)HN型接頭，可與DC和RF電源相匹配

  6、所需功率：DCzui大250W，RFzui大100W

  7、陰極濺射電流：zui大3A

  8、陰極濺射電壓：200V-1000V

  9、工作壓力范圍：1mtorr-1torr

  10、濺射厚度均勻性：采用磁控濺射在氧化非晶硅片上沉積一個20nm的薄膜，直流功率150W，真空環(huán)境

                                         10mtorr，1"銅靶，與基片距離75mm

  11、水冷卻：水管接頭為外徑0.25"快插頭，所需水流量1/2GPM，進水溫度<20℃

  12、高真空快速接頭：為贈送品，數(shù)量1個，內(nèi)徑為0.75"，可將濺射頭安裝在真空腔體上，真空腔體上的安裝

　　　　　　　　　      孔直徑為1"，真空腔體的壁厚不得大于1"

  13、傾斜裝置：濺射頭相對于柄桿zui大可傾斜±45?，設(shè)有刻度線，可觀察到靶頭傾斜的角度

產(chǎn)品規(guī)格

  尺寸：14"（355.6mm）；重量：1.36kg

可選配件

  1、循環(huán)水冷機，流量為16L/min，水箱容積為6L。

  2、100W小型手動匹配型射頻電源RF-100-LD，可自行搭建濺射鍍膜儀。

主要應(yīng)用

  在真空腔體中HVMSS-SPC-1-LD磁控濺射頭可制作各種薄膜，應(yīng)用如下：

  薄膜涂覆、半導(dǎo)體器件、磁記錄介質(zhì)、超導(dǎo)薄膜、量子計算器件、MEMS、生物傳感器、納米技術(shù)、超晶格、顆粒

  膜、記憶合金、組合薄膜沉積、光學(xué)薄膜