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簡要描述：該系統(tǒng)為球形脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD）工藝研發(fā)設(shè)備。脈沖激光沉積 （Pulsed laser deposition, PLD），就是將激光聚焦于靶材上一個(gè)較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。
產(chǎn)品型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2021-12-03訪 問 量：2633產(chǎn)品分類CLASSIFICATION
詳細(xì)介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池 |
該系統(tǒng)為球形脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD）工藝研發(fā)設(shè)備。脈沖激光沉積 （Pulsed laser deposition, PLD），就是將激光聚焦于靶材上一個(gè)較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。 在眾多的薄膜制備方法中，脈沖激光沉積技術(shù)的應(yīng)用較為廣泛，可用來制備金屬、半導(dǎo)體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質(zhì)薄膜，甚至還用來制備一些難以合成的材料膜，如金剛石、立方氮化物膜等。
1、環(huán)境溫度：10℃～35℃
2、相對濕度：不大于75%
3、供水：水壓0.2MPa～0.4MPa,水溫15℃～25℃
4、設(shè)備周圍環(huán)境整潔，空氣清潔，不應(yīng)有可引起電器及其他金屬件表面腐蝕或引起金屬間導(dǎo)電的塵?；驓怏w存在。
| 產(chǎn)品名稱 | 球形脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD） | |
| 安裝條件 | 1、環(huán)境溫度：10℃～35℃ 2、相對濕度：不大于75% 3、供電電源：220V、單相、50±0.5 Hz 4、設(shè)備功率：小于4KW 5、供水：水壓0.2MPa～0.4MPa,水溫15℃～25℃， 6、設(shè)備周圍環(huán)境整潔，空氣清潔，不應(yīng)有可引起電器及其他金屬件表面腐蝕或引起金屬間導(dǎo)電的塵?；驓怏w存在。 | |
| 主要參數(shù) | 1、系統(tǒng)采用真空室為球形結(jié)構(gòu)，手動(dòng)前開門 2、真空室組件及配備零部件全部采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造（304），氬弧焊接，表面采用噴玻璃丸+電化學(xué)拋光鈍化處理 3、真空腔室有效尺寸為Φ300mm,配有可視觀察窗口 4、極限真空度：≤6.67x10-5Pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用600L/S分子泵抽氣，前級采用8L/S)； 系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系統(tǒng)從大氣開始抽氣到8.0x10-4 Pa，40分鐘可達(dá)到； 停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度：≤20Pa 5、樣品臺(tái)：樣品尺寸φ40mm，轉(zhuǎn)速1-20RPM，基片臺(tái)與轉(zhuǎn)靶距離40～90mm 6、樣品加熱最高加熱溫度：800℃，溫控精度：±1°C，采用控溫表進(jìn)行控溫 7、四工位轉(zhuǎn)靶：每個(gè)靶位φ40mm,擋板只露出一個(gè)靶位，激光束要求打在最上面靶位，轉(zhuǎn)靶具有公轉(zhuǎn)、自轉(zhuǎn)功能 8、真空室內(nèi)設(shè)置烘烤、照明、水壓報(bào)警裝置 9、MFC一路質(zhì)量流量計(jì)控制進(jìn)氣 ：0-100sccm | |
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